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Solarlexikon

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EFG-Verfahren
Bei dem EFG-Verfahren (EFG von Edge-defined Film-fed Growth zu Deutsch etwa kantendefiniertes Filmwachstum) wird ein achteckiges Rohr aus der Siliciumschmelze gezogen, dessen Kantenlänge der des Wafers entspricht und das bis zu 7 m lang sein kann. Das so entstandene polykristalline Rohr wird mittels Laserstrahl geschnitten und zu 10 x 10 cm2 bzw. 12,5 x 12,5 cm2 großen Wafern verarbeitet. Vorteil gegenüber dem Blockgießverfahren ist der materialschonende Fertigungsprozess.

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